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ZnO晶相位于晶粒體內，為低電阻率的半導體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜，有大量的導電電子存在，為n型半導體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達到峰值，約950℃時消失，

反應式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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電源線之間或電源線和大地之間的連接，作為壓敏電阻器，有代表性的使用場合是在電源線及長距離傳輸的信號線遇到雷擊而使導線存在浪涌脈沖等情況下對電子產品起保護作用。一般在線間接入壓敏電阻器可對線間的感應脈沖有效，而在線與地間接入壓敏電阻則對傳輸線和大地間的感應脈沖有效。若進一步將線間連接與線地連接兩種形式組合起來，則可對浪涌脈沖有更好的吸收作用。

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